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MOSFET氣敏光電開關(guān)傳感器的特性
 
錄入時間:2014-11-17 13:15:20瀏覽次數(shù):1
 

靈敏度:氣敏光電開關(guān)MOSFET的靈敏度定義為器件閾值電壓與氣體體積分?jǐn)?shù)的關(guān)系。當(dāng)有氧氣存在時,氫分子和氧分子在PD表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成水分子,由于水分子吸附在PD表面,使氫的數(shù)減小。氧氣密度越大,氫的覆蓋系數(shù)越小,從而影響了器件的靈敏度。

  溫度特性:氫氣敏感傳感器在室溫和惰性氣體中,有一定的靈敏度,但響應(yīng)時間或恢復(fù)時間太長。通過實驗得到。PD柵氣敏MOSFET的工作溫度最好選擇在一百五十度附近。

  響應(yīng)特性:當(dāng)氣體濃度發(fā)生變化時,PD柵氣敏MOSFET的閾值電壓UT隨時間而變化,并逐漸達(dá)到穩(wěn)定值。這一過程與氣敏MOSFET的響應(yīng)特性有關(guān)。氣敏MOSFFR的響應(yīng)特性可以用響應(yīng)時間和恢復(fù)時間來描述。

  器件從氫氣階躍變化開始直到穩(wěn)定值的百分之九十五所用的時間稱為器件的響應(yīng)時間。器件從氫氣環(huán)境突然置于空氣中,器件輸出達(dá)到穩(wěn)定值的百分之九十五所用的時間為器件的恢復(fù)時間。

  穩(wěn)定性:PD據(jù)氣敏MOSFET的閥值電壓UT隨時間發(fā)生緩慢的漂移,影響氫氣MOSFET穩(wěn)定性的因素主要有兩個方面:一方面是氫敏傳感器PD柵膜層的鼓包現(xiàn)象。另一方面是PD——SIO2-SI結(jié)構(gòu)在氫氣中存在滯后現(xiàn)象。

  該類傳感器是一種新型器件,特性沿不穩(wěn)定,還不能用PD-MOSFET定量檢測氫氣的體積分?jǐn)?shù),只能用作H2的泄漏檢測。

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