在CCD中，有效地收集和檢測(cè)電荷是一個(gè)重要問(wèn)題。CCD的重要特性之一是信號(hào)電荷在轉(zhuǎn)移過(guò)程中與時(shí)鐘脈沖沒(méi)有任何電容耦合，而在輸出端則不可避免。因此，選擇適當(dāng)?shù)妮敵鲭娐�，盡可有地減小時(shí)鐘脈沖對(duì)輸出信號(hào)的容性干擾。的CCD輸出電荷信號(hào)的方式主要是稱(chēng)為電流輸出方式的電路。
電流輸出方式的電路是由檢測(cè)二極管、二極管的偏置電阻R、源極輸出放大器和復(fù)位場(chǎng)效應(yīng)晶體管VR等單元構(gòu)成。信號(hào)電荷在轉(zhuǎn)移脈沖CR1、CR2的驅(qū)動(dòng)下向右轉(zhuǎn)移到最末一級(jí)轉(zhuǎn)移電極下的勢(shì)，當(dāng)CR2上的電壓由高變低時(shí)，由于勢(shì)阱的提高，信號(hào)的電荷將通過(guò)輸出柵下的勢(shì)阱進(jìn)入反向偏置的二極管中。由電源UD、電阻R、襯底P和N區(qū)構(gòu)成的輸出二極管中的電荷，將產(chǎn)生電流的大小與注入二極管中的信號(hào)電荷成正比，而與R成反比。電阻R是制作在CCD器件內(nèi)部的固定電阻，阻值為常數(shù)。所以，輸出電流ID與注入二極管中的電荷量Q成線(xiàn)性關(guān)系。
復(fù)位場(chǎng)效應(yīng)晶體客VR用于檢測(cè)二極管的深勢(shì)阱進(jìn)行復(fù)位。它的主要作用是在一個(gè)讀出周期中，注入輸出二極管深勢(shì)阱中的信號(hào)電荷通過(guò)偏置電阻放電，偏置電阻太小中，信號(hào)電荷很容易被放掉，輸出信號(hào)的持續(xù)時(shí)間很短，不利于檢測(cè)。增大偏置電阻可以使輸出信號(hào)獲得較長(zhǎng)的持續(xù)時(shí)間，在轉(zhuǎn)移脈沖CR1的周期內(nèi)，信號(hào)電荷被卸放掉的數(shù)量不大，有利于對(duì)信號(hào)的檢測(cè)。但是，在下一個(gè)信號(hào)到來(lái)時(shí)，沒(méi)有卸放掉的電荷勢(shì) 必與新轉(zhuǎn)移來(lái)的電荷疊加，破壞后面的信號(hào)。為此，引入復(fù)位場(chǎng)效應(yīng)晶體管VR，使沒(méi)有來(lái)得及被卸放掉的信號(hào)電荷通過(guò)復(fù)位場(chǎng)效應(yīng)晶體管卸放掉。復(fù)位場(chǎng)效應(yīng)晶體管在復(fù)位脈沖的RS的作用下使復(fù)位場(chǎng)效應(yīng)晶體管導(dǎo)通，它導(dǎo)通的動(dòng)態(tài)電阻遠(yuǎn)小于偏置電阻的阻值，以便使輸出二極管中的剩余電荷通過(guò)復(fù)位場(chǎng)效應(yīng)晶體管流入電源，的電位恢復(fù)到起始的高電平，為接受新的信號(hào)電荷做好準(zhǔn)備。 |
當(dāng)前位置：
