靈敏度：氣敏光電開(kāi)關(guān)MOSFET的靈敏度定義為器件閾值電壓與氣體體積分?jǐn)?shù)的關(guān)系。當(dāng)有氧氣存在時(shí)，氫分子和氧分子在PD表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成水分子，由于水分子吸附在PD表面，使氫的數(shù)減小。氧氣密度越大，氫的覆蓋系數(shù)越小，從而影響了器件的靈敏度。
溫度特性：氫氣敏感傳感器在室溫和惰性氣體中，有一定的靈敏度，但響應(yīng)時(shí)間或恢復(fù)時(shí)間太長(zhǎng)。通過(guò)實(shí)驗(yàn)得到。PD柵氣敏MOSFET的工作溫度最好選擇在一百五十度附近。
響應(yīng)特性：當(dāng)氣體濃度發(fā)生變化時(shí)，PD柵氣敏MOSFET的閾值電壓UT隨時(shí)間而變化，并逐漸達(dá)到穩(wěn)定值。這一過(guò)程與氣敏MOSFET的響應(yīng)特性有關(guān)。氣敏MOSFFR的響應(yīng)特性可以用響應(yīng)時(shí)間和恢復(fù)時(shí)間來(lái)描述。
器件從氫氣階躍變化開(kāi)始直到穩(wěn)定值的百分之九十五所用的時(shí)間稱為器件的響應(yīng)時(shí)間。器件從氫氣環(huán)境突然置于空氣中，器件輸出達(dá)到穩(wěn)定值的百分之九十五所用的時(shí)間為器件的恢復(fù)時(shí)間。
穩(wěn)定性：PD據(jù)氣敏MOSFET的閥值電壓UT隨時(shí)間發(fā)生緩慢的漂移，影響氫氣MOSFET穩(wěn)定性的因素主要有兩個(gè)方面：一方面是氫敏傳感器PD柵膜層的鼓包現(xiàn)象。另一方面是PD——SIO2-SI結(jié)構(gòu)在氫氣中存在滯后現(xiàn)象。
該類傳感器是一種新型器件，特性沿不穩(wěn)定，還不能用PD-MOSFET定量檢測(cè)氫氣的體積分?jǐn)?shù)，只能用作H2的泄漏檢測(cè)。 |
當(dāng)前位置：
